RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2347
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link