RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2347
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link