RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
26
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3512
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link