RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
26
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3512
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link