RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link