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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
31
Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
31
Velocità di lettura, GB/s
16.0
11.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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