RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link