RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 28
    Около 14% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 12.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 9.3
    Среднее значение в тестах
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 12.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 9.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2382

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
модули RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
модули RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
модули RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
модули RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
модули RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
модули RAM