Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 28

Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 12.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 9.3

Среднее значение в тестах

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 28
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 12.2
Скорость записи, Гб/сек

12.5 9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 19200

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2925 2382

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB

модули RAM