RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link