RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2451
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link