RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2451
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link