RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link