Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 30

Autour de 20% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.5 10.6

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 19200

Autour de 1.33 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2925 3026

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns