RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link