RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905471-081.A00LF 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link