RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link