RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2608
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Inmos + 256MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link