RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
5.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
5.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1880
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link