RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2618
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link