RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
48
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
33
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2774
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link