RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
63
Wokół strony -186% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3036
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link