RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3563
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link