RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
63
Около -186% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3036
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link