RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
63
En -186% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3036
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link