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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
51
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3036
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641162 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
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