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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
51
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
22
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3036
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
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Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
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