RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
53
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
53
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2333
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link