RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
53
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
53
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2333
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link