RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
60
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
60
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link