RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
60
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link