RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link