RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
57
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
57
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2377
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link