RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
57
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
57
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2377
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link