RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
73
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
73
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link