Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 73

Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 14.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 7.1

Среднее значение в тестах

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 73
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 14.1
Скорость записи, Гб/сек

12.5 7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 19200

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2925 1609

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB

Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB

Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB

Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB

Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB

Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB

модули RAM