RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
104
Около -189% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2474
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Inmos + 256MB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link