RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
104
Intorno -189% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
36
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2474
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link