Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

总分
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 14.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,404.5 left arrow 10.7
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    36 left arrow 104
    左右 -189% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    104 left arrow 36
  • 读取速度,GB/s
    3,192.0 left arrow 14.2
  • 写入速度,GB/s
    2,404.5 left arrow 10.7
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    786 left arrow 2474
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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