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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

总分
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

总分
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

差异 规格 评论

差异

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 18.6
    测试中的平均数值
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 63
    左右 -75% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.3 left arrow 1,447.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 5300
    左右 4.83 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    63 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    3,231.0 left arrow 18.6
  • 写入速度，GB/s
    1,447.3 left arrow 15.3
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    478 left arrow 3372

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G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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内存RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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