RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
104
En -189% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2474
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology ADOVF1A083FE 1GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link