RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2307
3026
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Сравнения RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link