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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Gesamtnote
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2307
3026
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Absolute Latency
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