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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Comparez
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Note globale
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2307
3026
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
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