Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

総合得点
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

総合得点
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 30
    周辺 17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 14.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2307 left arrow 3026
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