RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
46
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2717
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link