RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
46
Autour de 48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
46
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2717
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link