RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
86
Wokół strony 72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
86
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1658
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link