RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 86
    Около 72% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 14.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 86
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 14.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 8.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 1658

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
модули RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
модули RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
модули RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
модули RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
модули RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
модули RAM