RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3649
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link