RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
31
周辺 23% 低遅延
考慮すべき理由
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
20.5
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.5
12.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
31
読み出し速度、GB/s
16.0
20.5
書き込み速度、GB/秒
12.5
15.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
25600
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
3649
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link