RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston XCCT36-MIE 16GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston XCCT36-MIE 16GB

Kingston XCCT36-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 28
    周辺 4% 低遅延
Kingston XCCT36-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston XCCT36-MIE 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.9 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 16.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3795

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Kingston XCCT36-MIE 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
メモリRAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
メモリRAM