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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston XCCT36-MIE 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
16.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3795
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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